胡益丰的个人简介
胡益丰，男，1977年5月生，江苏常州人，中共党员。2000年本科毕业于苏州大学物理系。2006年6月毕业于广西大学物理科学与工程技术学院，获理学硕士。2015年毕业于同济大学材料学院，获工学博士学位。 主要研究方向：半导体合金薄膜与器件。
基本内容
一、学历学位
同济大学材料学院信息功能材料与器件专业博士学位。
二、科研方面
1. 课题
主持并已经完成项目：江苏省教育厅项目1项，校基金3项； 目前主持江苏省科技厅自然科学基金面上项目1项。
2. 发表论文及专利
任现职以来共发表论文30多篇，其中SCI收录20多篇。
申请发明专利11项，授权2项。
3. 获奖
（1）2013年常州市第十二次自然科学优秀科技论文奖三等奖
（2）2009年常州市第十次自然科学优秀科技论文奖三等奖
（3）2007年常州市第九次自然科学优秀科技论文奖二等奖
（4）2009年获常州市“831高层次创新创业人才培养工程” 首批中青年骨干人才称号
4. 其他方面
2013年作为主要参与者参与中央财政支持项目：数理学院信息功能材料与器件实验室的申报并获批。2015年创建江苏理工学院“微纳光电信息材料与器件研究中心”。
三、教学方面
1.讲授课程 《大学物理》、《物理实验》、《物理与文化》3门课程，教学工作量饱满。
2.获奖
（1）2010年校教学优秀三等奖
（2）2009年数理学院青年教师讲课比赛二等奖
（3）2007年校青年教师讲课比赛优秀奖
（4）2009年校本科教学评建工作先进个人
3.教研
（1）2011年5月，主持完成校教改课题“《文科物理》课程建设的理论和实践研究”。
（2）主持创建《大学物理》网络课堂，2008年并被评为校优秀网络课堂。
（3）2009年10月，作为主要参与者完成校教改课题“《大学物理》试题库建设”。
（4）2009年-2011年作为主要参与者完成教育部物理教指委课题“《大学物理基本要求》实施与完善”研究。
（5）作为主要参与者参加江苏省教改课题“大学物理分型教学研究”研究。
（6）参与《大学物理》校级精品课程建设。
（7）参与《物理实验》省级实验示范中心建设。
现职以来发表论文：
1. Zou H., Wang X.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Shen D., Song Z. Optical thermometry based on the upconversion luminescence from Er doped Bi7Ti4TaO21 ferroelectric ceramics.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26(9):6502-5. Epub 6505.
2.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Yuan L., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T. Nitrogen-Doped Ge10Sb90 Phase Change Thin Films for High-Temperature Data Retention and High-Speed Application.Journal Of Electronic Materials.2015;44(10):3322-6. Epub 3326.
3.Wu W.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Xue J., Yuan L., Song S., Song Z. Improvement of the thermal stability and power consumption of Sb70Se30 through nitrogen doping.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2015.
4.Li Z.,Hu Y.,Wen T., Zhai J., Lai T. Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous N-doped Ge8Sb92 films and in situ characterization by coherent phonon spectroscopy.Journal Of Applied Physics.2015;117(13):135703.
5.Hu Y.,Zhu X., Zou H., Lu Y., Xue J., Sui Y., Wu W., Yuan L., Song S., Song Z. Alx(Sn2Se3)1-x phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26:7757-62.
6.Hu Y.,Zhai J., Zeng H., Song S., Song Z. Improvement of reliability and power consumption for SnSb4 phase change film composited with Ga3Sb7 by superlattice-like method. Journal Of Applied Physics. 2015;117:175704.
7.Hu Y.,He Z., Zhai J., Wu P., Lai T., Song S., Song Z. Superlattice-like SnSb4/Ga3Sb7 thin films for ultrafast switching phase-change memory application.Applied Physics A: Materials Science & Processing.2015.
8.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Zou H., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. Influence of N-doping on the thermal stability and switching speed of Zn15Sb85 phase change material.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2014;26(2):1212-6.
9.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Xue J. Z., Sui Y. X., H. W. W., Zheng L., Yuan L., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. N-doped Zn15Sb85 phase-change materials for higher thermal stability and lower power consumption.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2014;25(7):2943-7.
10.Hu Y. F.,Feng X. Y., Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Superlattice-like Ge8Sb92/Ge thin films for high-speed and low power consumption phase change memory application. Scripta Materialia. 2014;93. Epub 7.
11.Feng X. Y.,Hu Y. F., Zhai J. W., Wang C. Z., Song S. N., Song Z. T. Multi-step phase-change behavior in Ga30Sb70/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films.Journal Of Applied Physics.2014;115(20):204303 (5 pp.).
12.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application.Journal Of Alloys and Compounds.2013;551:551-5.
13.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Fast crystallization and low power of Al-doped Sn2Se3 thin films for phase change memory applications.Journal Of Alloys and Compounds.2013;581:515-8.
14.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications.Scripta Materialia.2013;69(1):61-4.
15.Hu Y. F., Feng X. Y., Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application.Applied Physics Letters.2013;103(15):152107--4.
16.Hu Y. F., Deng W. Microdefects and Electron Densities in Near-Equiatomic NiTi Alloys Studied by Positron Annihilation Spectroscopy.Rare Metal Materials and Engineering.2013;42(8):1581-4.
17.Sun M. C.,Hu Y. F., Shen B., Zhai J. W., Song S. N., Song Z. T. Si/SnSe2 Multilayer Films for Phase Change Memory Applications.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):1-7.
18.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Multi-Step Resistance Memory Behavior in Ge2Sb2Te5/GeTe Stacked Chalcogenide Films.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):8-15.
19.胡益丰,郝文博, 邓文. Ni-Co-Cr 高温合金中 3d 电子及键结构的正电子湮没研究.稀有金属材料与工程.2010;39(007):1171-4.
20.胡益丰,邓文. 合金化成分对 NiTi 合金 Ms 点影响的正电子湮没研究.低温物理学报.2010;6:445-8.
21.Hu Y.-F.,Hao W.-B., Deng W. Ni-Co-Cr 高温合金中 3d 电子作用的正电子湮没研究.材料导报.2010;24(8):62-4+ 83.
22.胡益丰,沈大华, 邓文. NiTi 形状记忆合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究.稀有金属材料与工程. 2009;38(1):38-41. Epub 41.
23.胡益丰,沈大华, 邓文. Al-Mg―Si 合金 GP 区强化作用的价电子结构分析.轻金属.2008(8):55-8.
24.胡益丰,邓文, 陈真英. NiTi 合金的电子结构及缺陷作用的符合正电子湮没研究.稀有金属材料与工程.2007;36(6):985-8.
25.胡益丰,邓文, 黄乐. NiTi 合金形状记忆效应的微观机制研究进展.材料导报.2006;20(2):114-7.
26.胡益丰.工科大学物理教学改革的探索. Journal of Liaocheng Unlversity (Nat Sci). 2006;19(4).
27.邓文,胡益丰,岳丽, 郝文博, 黄乐, 黄宇阳, 熊良钺. NiTi 形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究.低温物理学报. 2006;28(3):236-41.
28.Hu Y. F.,Deng W., YUE L., HUANG L., HUANG Y.-y., XIONG L.-y. Microdefects and electron densities in NiTi shape memory alloys studied by positron annihilation.Transactions Of Nonferrous Metals Society Of China.2006;16(6):1259-62.
