龚敏

龚敏的个人简介

龚敏，现任四川大学教授，长期从事半导体材料与器件的研究。在物理学，光学，材料学上有多年研究。

四川大学物理科学与技术学院院长

龚敏

理学学士、理学硕士（四川大学）、哲学博士（香港大学） 　　现任四川大学微电子学与固体电子学教授； 　　物理科学与技术学院院长； 　　中国物理学会理事； 　　四川省物理学会副理事长； 　　《光散射学报》副主编； 　　四川省电子学会，集成电路专委会副主任； 　　四川省汽车学会，电子电器专委会副主任； 　　《半导体光电》客座编委； 　　《Semiconductor Photonics and Technology》Guest Members； 　　微电子技术四川省重点实验室常务副主任 　　四川省学术与技术带头人后备人选。

经历

长期从事半导体材料与器件工艺研究，近年来主要科研兴趣是宽禁带半导体 SiC 和 GaN 的器件物理和工艺研究；集成电路设计中的相关问题研究； 物理学史和物理学教学研究 。 　　承担国家自然科学基金和国防重点实验室基金项目，并已经在 Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Physical Review Letters 等国际著名学术刊物发表论文 30 余篇。 　　培养毕业研究生 13 名，现指导在读研究生 20 余名，博士生 1 名。 在凝聚态物理专业（半导体材料与器件物理方向）招收博士生，在微电子学与固体电子学专业和高等教育学专业招收硕士生。 　　近 3 年来的主要学术论文： 　　· Low energy electron irradiation induced deep level defects in 6H-SiC ， Physical Review Letters, 92, 125504(2004). 　　· Positron-electron autocorrelation function study of E-center in silicon ， Journal of Applied Physics, 94, 5549(2003). 　　· Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC ， Journal of Applied Physics, 94, 3004(2003). 　　· Beryllium-implanted 6H-silicon carbide, Solid State Communications, 121, 67 ( 2002). 　　· Beryllium implantation induced deep levels in 6H-silicon carbide, Physica B308-310, 718(2001).