霍永恒的个人简介
霍永恒，男，博士，中国科学技术大学教授、博士生导师，中科院百人、上海千人。
人物经历
2002.09-2006.07 学士（电子科学与技术），天津大学
2006.09-2011.01 博士（物理电子学），中国科学院半导体研究所
2011.02-2012.12 博士后，德国莱布尼茨固态和材料研究所 （IFW Dresden，合作导师Prof. Armando Rastelli, Prof. Oliver G Schmidt）
2013.01-2015.03 聘期制科学家，分子束外延实验室负责人，IFW Dresden
2015.04-2016.06 高级研究员，奥地利林茨大学半导体和固体物理研究所
2016.07-至今 ?中国科学技术大学 特任教授
发表论文
7. D Huber, M Reindl, YH Huo, et al. (2018) Highly indistinguishable and strongly entangled photons from symmetric GaAs quantum dots, Nat. Commun 8, 15506.
6. H. Huang, R Trotta, YH Huo*, et al (2017) Electrically-pumped wavelength-tunable GaAs quantum dots interfaced with rubidium atoms. ACS Photonics 4, 868-872.
5. YH Huo*, V K?ápek, OG Schmidt, A Rastelli (2017) Spontaneous brightening of dark excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots near a cleaved facet. Phy. Rev. B 95, 165304.
4. YH Huo*, BJ Witek, S Kumar, et al. (2014) A light-hole exciton in a quantum dot. Nature Physics 10, 46-51.
3. J Zhang, YH Huo*, A Rastelli, et al. (2014) Single Photons On-Demand from Light-Hole Excitons in Strain-Engineered Quantum Dots. Nano Letters 15, 422-427.
2. YH Huo*, V K?ápek, A Rastelli, OG Schmidt (2014) Volume dependence of excitonic fine structure splitting in geometrically similar quantum dots. Phys. Rev. B 90, 041304.
1. YH Huo*, A Rastelli, OG Schmidt (2013) Ultra-small excitonic fine structure splitting in highly symmetric quantum dotson GaAs (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 102, 152105.
研究方向
1、量子信息，固态量子材料与器件
2、单光子源、纠缠光子源、超导量子计算机芯片材料
3、分子束外延，材料与器件物理
