何军辉（扬大教授）的个人简介
何军辉，教授，博士，硕士生导师，微电子学与固体电子学教研中心主任。1987年获杭州大学化学系无机化学专业理学硕士学位。1998年获日本京都大学固体化学专业理学博士学位。1998年任浙江大学物理系凝聚态物理研究所副教授。 2004年任扬州大学物理科学与技术学院教授。兼任中国科学院《低温物理学报》理事。
人物经历
何军辉，教授，博士, 硕士生导师。 1980.9 -1984.7杭州大学化学系化学专业本科， 获理学学士； 1984.9 -1987.7杭州大学化学系无机化学专业硕士研究生，获理学硕士；1987.9 -1998.9 杭州商学院食品系助教；1991.8-1998.6日本京都大学理学大学院化学系，获理学博士；1998.9-2004.11 浙江大学物理系副教授。2004.11-至今扬州大学物理科学与技术学院教授。
课题研究
承担本科生《固体物理》、《半导体物理》、《现代测试技术》和研究生《半导体器件》等课程的教学任务。
主要成就
留学期间从事稀土金属相间化合物的结构、磁性和强关联电子性质的研究。利用高压手段在国际上首次合成了具有立方Laves相结构的YbCu5化合物及其相关固溶体系，发现其为典型的具有近藤晶格效应的重费米子化合物体系。相关结果发表于Phy.Rev.B等刊物，被他引一百余次。主持并完成国家自然科学基金委员会 “光电信息功能材料”重大研究计划面上项目“硅基铌酸锂光电信息功能薄膜”的研究和其他多项省部级项目。发表科研论文五十余篇，其中SCI收录论文三十余篇。
研究方向
从事过渡金属氧化物巨磁阻效应、稀土合金强关联电子性质以及半导体光伏材料等方向的研究。
主要研究领域：
1）半导体光电材料；
2）钙钛矿氧化物体系的巨磁阻现象；
3）稀土金属相间化合物的结构、磁性和强关联电子性质；
招收研究生的专业方向：
1）微电子学 （半导体光电材料方向）；
2）凝聚态物理（巨磁阻和稀土合金磁性方向）；
已有的研究工作：
1）半导体透明导电氧化物材料
采用固相合成技术，通过高价态差元素掺杂和多元化学固溶途径，合成具有高透光率和高导电率的透明导电氧化物靶材，并进而利用脉冲激光沉积技术生长高性能透明导电氧化物薄膜。该项研究主要作为电极材料应用于太阳能电池和平板显示系统。该项研究获得了江苏省工业支撑计划的资助，并已通过专家评审顺利结题。相关研究结果已申请国家发明专利三项，发表论文五篇（其中一篇为EI收录）。
2）钙钛矿氧化物体系的巨磁阻现象；
研究了钙钛矿氧化物体系中的巨磁阻效应，系统探索A位B位掺杂对离子价态、磁相变温度、交换相互作用和磁阻的影响。发现在LaSrMnO体系中，Mn位的少量Mo掺杂可显著提高其室温磁电阻，相关结果已发表于J. of Applied Physics.
3）稀土金属相间化合物的结构、磁性和强关联电子性质；
利用电弧熔炼和高压技术在国际上首次合成了具有立方Laves相结构的YbCu5化合物及其相关固溶体系，发现其为典型的具有近藤晶格效应的重费米子化合物体系。相关结果发表于Phy.Rev.B等刊物，被他引一百余次。
承担的课题：（限五项）
1） 硅基铌酸锂光电信息功能薄膜，国家自然资金面上项目
（26万，2003.01-2005.12，负责人）；
2） 高C轴取向硅基铌酸锂薄膜的生长，浙江省自然科学基金面上项目
（6万，2004.01-2006.12，负责人）；
3） 非常规氧化物超导电性的研究，浙江大学曹光彪基金项目
（6万，2003.01-2005.12，负责人）；
4）稀土相间化合物的强关联电子性质，江苏省教育厅项目
（4万元，2007.6 -2010.6，负责人
代表性论文：（限15篇）
(1) 梅烨，陈亮，曹永珍，刘宝琴，何军辉（通讯作者），朱增伟，许祝安；
“SrMn0.5Fe0.5O3的自旋玻璃态和过渡金属离子价态的研究”
物理学报，59(4)，2795-2800（2010）
(2) 陈亮，鲁彦涛，梅烨，曹永珍，刘宝琴，何军辉（通讯作者）
“Mo低掺杂La0.67Sr0.33MnO3的磁电特性及室温磁电阻增强”
低温物理学报， Vol.31， No.1， P.54-59 （2009）
(3) L Chen, J H He (通讯作者) , M Ye, Y Z Cao, B Q Liu, Z W Zhu, Z A Xu,
“Enhanced room temperature magnetoresistance and cluster spin glass behavior in Mo doping La0.67Sr0.33MnO3”, J.Applied Physics, Vol.105, No.12, 123910 (2009)
(4) L Chen, J H He (通讯作者) , B Q Liu, Z W Zhu, Z A Xu,
“Critical behavior of Mo-doping La0.67Sr0.33Mn1-xMoxO3”,
PhysicaB(2009), doi:10.1016/j.physb.2008.07.023
