郝惠莲的个人简介
郝惠莲，材料工程系，硕导，2006-2009上海交通大学博士
研究方向
半导体光电子器件，硅基太阳电池，半导体光电特性,
工作经历
2012D至今上海工程技术大学讲师
2006D2009INNOTECHSOLAR ASSENIOR SCIENTIST
科研项目
上海市高校教师优青自助，上海工程技术大学博士启动
专著/译著
1.H.L. Hao,etal, “Optimization of Shunt Isolation Processing for Silicon Solar Cells Via Laser and Chemical Etching”. “Applied Surface Science” (Accepted).
2.H. L. Hao, L. K. Wu, W. Z. Shen, and H. F. W. Dekkers, “Origin of visibleluminescence in hydrogenated amorphous silicon nitride films”,Appl. Phys. Lett.91, 201922-(1-3) (2007);他引41次。
3.H. L. Hao, L. K. Wu, and W. Z. Shen, “Controlling the red luminescence from the silicon quantum dots in hydrogenated amorphous silicon nitride films”,Appl. Phys. Lett.92, 121922-(1-3) (2008);他引32次。
4.H. L. Haoand W. Z. Shen, “Identification and control of the origin of photo-luminescence from silicon quantum dots”,Nanotechnology19, 455704-(1-5) (2008);他引8次。
5.L. K. Wu,H. L. Hao, W. Z. Shen, G. Ariyawansa, A. G. U. Perera, and S. G.Matsik, “Dual-band pixelless upconversion imaging devices”,Opt. Lett.32,2366-(1-3) (2007).
6.L. K. Wu,H. L. Hao, and W. Z. Shen, “Enhanced light absorption in GaN/AlGaN Mid-infrared detectors and application for pixel-less up-conversion imaging”,J. Appl. Phys.103, 044507-(1-7) (2008).
教学工作
本科生：主讲《半导体器件工艺》，《微电子封装综合实验》
研究生：《材料物理与化学前言》
申请发明专利：
1.一种新型倒装LED芯片结构及其制作方法。
发明人：郝惠莲等，专利号：2013104831870
2.一种高反射层倒装LED芯片结构及其制作方法。
发明人：郝惠莲等，专利号：201310482731.X
3.带反射镜的无像元上转换成像装置制造方法。
发明人：沈文忠，武乐可，郝惠莲。
授权号：CN 100481528C
