海潮和的个人简介
海潮和，研究员。研究方向为微电子技术。
个人信息
海潮和，研究员。
简历
简历：留学经历：1998在香港科技大学作访问学者一年工作经历：一直在中科院半导体所和微电子所工作多年来在中国科学院半导体研究所和中国科学院微电子中心从事半导体器件和集成电路的研究和开发工作，在国内外学术刊物发表论文几十篇。六五期间，在王守武院士的指导下从事大规模集成电路DRAM的研制，"大规模集成电路提高成品率的研究"和"大规模集成电路16KDRAM的研制"分别获得中国科学院科技进步一等奖。七五期间，参与了院重大项目“专用、半专用电路设计与制造”的工作并获得科学院科技进步二等奖；自主开发成功“光电、模拟和I2L相容的传感集成技术” 并获得科学院科技进步奖；作为项目负责人之一，研制成功"电子程序快门专用集成电路B1218" ，并获得北京市科技进步二等奖。这期间，参与了"1－1.5微米新工艺及新器件探索性研究" 并获科技进步奖。八五期间，作为VLSI研究室主任、项目负责人之一，参与了国家攻关项目"0. 8微米集成电路芯片制造技术"的组织和具体实施，再次获得中国科学院科技进步一等奖，该攻关项目同时获得国家科技进步二等奖。在吴德馨院士领导的"国家攀登计划"项目里，是"深亚微米MOSFET研究"课题负责人。九五期间，作为负责人之一参与了国家攻关项目"0. 1-0.35微米集成电路关键工艺研究"的组织，同时又是院创新项目"亚微米SOI/CMOS器件与电路研究"的开创人。98－99年，作为访问学者在香港科技大学开展合作研究，论文"1.5V1.8GHz SOI Low Noise Amplifiers for PCS Receivers"在 1999 IEEE International SOI Conference发表。目前主要从事SOI－CMOS 电路的研制工作，2002年研制成功SOI电路,性能指标达到了国外同类产品水平,填补了国内空白。研究方向：
研究方向：微电子技术